随着电子技术的迅猛发展,21世纪的今天，集成电路高度市场化，越来越多的元器件存在于我们生活的各个领域。应用覆盖工业自动化控制、计算机、战略武器系统、航天航空用电子设备和民用电子产品等，元器件与我们的生活密切相关。

同时元器件也带来了一定的风险，市面上出现的炸机现象也是屡见不鲜，汽车故障、电路板起火等大部分与器件的质量相关，特别是半导体分立器件，因此提高分立器件的可靠性也就显得越来越重要,已经受到世界各国电子行业的高度重视，认为这是提高电子产品声誉和竞争力的关键。

因此，提前筛选出质量高，可靠性好的器件是各大厂商的迫切需求。随着国内半导体市场的迅猛发展，威邦仪器-做为一家高端检测仪器厂家，我们始终以市场需求为导向，持续深化自主研发，公司加大了半导体产业开发，在功率半导体器件、IGBT模块可靠性测试以及SoC、MCU、Memory等集成电路可靠性测试拥有一列设备供应和行业解决方案，抢占半导体产业创新制高点，助力高端制造，让元器件变得更可靠。

在这种背景下，高温反向偏压试验（High Temperature Reverse Bias Test，简称HTRB）应运而生。今天给您分享元器件可靠性测试方案-WBE-PDSHGB高温反偏栅偏老化系统HTRB

产品用途：高温反偏栅偏老化系统是通过配置不同老化板来满足Si/SiC/GaN芯片的各种封装形式二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的高温反偏/栅偏可靠性测试和老化筛选。

应用领域：各种封装形式二极管、三极管、MOS管、场效应管、可控硅、电容电阻、射频器件、桥堆和 IGBT 模块等半导体分立器件。

适用标准：MIL-STD-750D，METHOD-1038.3，GJB128，JESD22-A101，JESD22-A108，AEC-Q101，AQG324

试验目的：

通过暴露器件在不同时间和应力下可能存在的缺陷，评估当前器件是否满足规定的标准要求。可以模拟实际应用场景，提前了解器件的应力情况，从而完全避免应力和环境引起的失效和影响，这是出厂器件不可或缺的一项老化实验。

技术参数：温度范围：R.T~+200℃；温度均匀度：≤±3℃；试验通道：16个试验通道；试验容量：1280位

产品特点：

1.本系统一体化程度高，机构紧凑，系统采用一一对应控制方式设计。2.上位机配置齐全，包含：工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标。3.集中控制面板，安有大尺寸显示器。4.抽屉式键盘架设计，方便开启与收纳。5.标准电源机架箱，左右对称放置。每个电源试验区可以单独控制启动、暂停、继续、停止运行，互不干扰。6.内侧驱动架板模块化布局，采用集中排风模式，设有独立风道，侧边进风口设有滤网，能过滤空气中的粉尘颗粒。驱动箱布局合理，便于操作。

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