WBE-PDSHGB 高溫反偏栅偏老炼检测系統

产品介绍：
      高溫反偏栅偏老炼检测系統是通过配置不同老化板来满足Si/SiC/GaN芯片的各种封装形式二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的高温反偏/栅偏可靠性测试和老化筛选。


产品别名：
      高温偏置老化测试系统，HTRB，HTGB，高温反偏老化箱，高温栅偏试验箱，HTRB高温反偏试验系统，高温高湿反偏试验系统，HTGB高温栅反偏老化测试系统

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威邦高溫反偏栅偏老炼检测系統：该系统可进行室温＋10℃~200℃ 的高温反偏老化测试，老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态，并根据需要记录老化试验数据，导出试验报表。满足Si/SiC/GaN芯片的各种封装形式二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的高温反偏（HTRB）/栅偏（HTGB）可靠性测试和老化筛选。

应用领域：各种封装形式二极管、三极管、MOS管、场效应管、可控硅、电容电阻、射频器件、桥堆和 IGBT 模块等半导体分立器件。

适用标准：MIL-STD-750D，METHOD-1038.3，GJB128，JESD22-A101，JESD22-A108，AEC-Q101，AQG324

产品特点

♦兼容RB/GB，用户在软件中设置，可直接从HTRB模式切换至HTGB模式。

♦全过程试验数据保存于硬盘中，可输出Excel试验报表和绘制全过程漏电流IR变化曲线。

♦每个回路漏电流超上限电子开关断电保护。

♦可定制工位老化电压独立控制功能，实现单工位老化超限剔除。

♦nA级别的漏电流检测精度。

技术规格

*可定制任意规格参数非标机型

高溫反偏栅偏老炼检测系統（HTRB/HTGB）
型号		WBE-PDSHGB-16B10080N
系统参数	试验通道	16个试验通道
	试验容量	80*16=1280位
	试验电源	标配8台试验电源，电源规格可选
	电源规格	有20V、100V、200V、300V、600V、1000V、1200V、2000V电源规格可供选择（电源可手动设置，也可程序设置）。
	电压检测范围	-100V～2000V, 精度：±1%±2LSB
	电流检测范围	0.01uA～50mA
	电流检测精度	1%±2LSB
	基本功能	漏电流上限、试验电压上限、温度上限的设定；老化时间的设定；实时监测并显示每通道的老化时间、老化进度、失效工位数等；实时显示并记录保存老化参数（每工位IR、VR、Temp）；实时判断是否超限，超限报警并记录超限工位及超限时间；实时显示每工位的最大IR值，并显示最大IR值产生时间；老化参数方便调用、可生成试验报表、可绘制漏电流变化曲线。
	上位机	工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标
	老化板	聚酰亚胺 (Polymide) 双面覆铜板, Tg=260℃, 铜厚：35μm
	电网要求	AC220V±10%，单相三线制，AC380V±10%，三相五线制，47Hz~63Hz±2Hz
	系统体积	W1315×H1980×D1335（mm）
	重量	780Kg
高温试验箱	温度范围	R.T.~（200℃）
	温度精度	≤±1℃
	温度均匀度	≤±3℃
	温度波动度	≤0.4℃（200℃）
满足标准		AEC-Q101、AEC-Q102、MIL-STD-750、GJB33、AQG324、GJB128、IEC 60747-7,8,9试验标准要求。